Número de peza :
DMN1054UCB4-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
908pF @ 6V
Disipación de potencia (máx.) :
740mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
X1-WLB0808-4
Paquete / Estuche :
4-XFBGA, WLBGA