STMicroelectronics - STP8N80K5

KEY Part #: K6398346

STP8N80K5 Prezos (USD) [21498unidades de stock]

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Número de peza:
STP8N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N CH 800V 6A TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP8N80K5 Atributos do produto

Número de peza : STP8N80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N CH 800V 6A TO220
Serie : SuperMESH5™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 450pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220
Paquete / Estuche : TO-220-3

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