C3M0280090J-TR Prezos (USD) [24378unidades de stock]
- 1 pcs$1.69898
- 800 pcs$1.69053
- Número de peza:
- C3M0280090J-TR
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 900V 11A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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C3M0280090J-TR Atributos do produto
Número de peza :
C3M0280090J-TR
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
MOSFET N-CH 900V 11A
Serie :
C3M™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.5nC @ 15V
Vgs (máximo) :
+18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
150pF @ 600V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK-7
Paquete / Estuche :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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