ON Semiconductor - FDD3570

KEY Part #: K6411305

[13836unidades de stock]


    Número de peza:
    FDD3570
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD3570 Atributos do produto

    Número de peza : FDD3570
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
    Serie : PowerTrench®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 76nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2800pF @ 40V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3.4W (Ta), 69W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-252
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63