AOI4S60 Prezos (USD) [171756unidades de stock]
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- Número de peza:
- AOI4S60
- Fabricante:
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO251A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4S60 electronic components. AOI4S60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AOI4S60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AOI4S60 Atributos do produto
Número de peza :
AOI4S60
Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Serie :
aMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
263pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
56.8W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-251A
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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