FDD4N60NZ Prezos (USD) [231873unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDD4N60NZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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FDD4N60NZ Atributos do produto
Número de peza :
FDD4N60NZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Serie :
UniFET-II™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
510pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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