Infineon Technologies - IPN80R600P7ATMA1

KEY Part #: K6419541

IPN80R600P7ATMA1 Prezos (USD) [117493unidades de stock]

  • 1 pcs$0.31481

Número de peza:
IPN80R600P7ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
COOLMOS P7 800V SOT-223.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IPN80R600P7ATMA1 electronic components. IPN80R600P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN80R600P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R600P7ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPN80R600P7ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : COOLMOS P7 800V SOT-223
Serie : CoolMOS™ P7
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 570pF @ 500V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 7.4W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-SOT223
Paquete / Estuche : TO-261-3

Tamén pode estar interesado