APT13F120B Prezos (USD) [8305unidades de stock]
- 1 pcs$5.46027
- 10 pcs$4.96449
- 100 pcs$4.21975
- 500 pcs$3.59921
- Número de peza:
- APT13F120B
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 14A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT13F120B electronic components. APT13F120B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT13F120B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT13F120B Atributos do produto
Número de peza :
APT13F120B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4765pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
625W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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