IPS70R1K4P7SAKMA1 Prezos (USD) [121455unidades de stock]
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- 1,000 pcs$0.10739
- Número de peza:
- IPS70R1K4P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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IPS70R1K4P7SAKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Serie :
CoolMOS™ P7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
158pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
22.7W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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