Vishay Siliconix - SI5947DU-T1-E3

KEY Part #: K6524401

[3843unidades de stock]


    Número de peza:
    SI5947DU-T1-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5947DU-T1-E3 electronic components. SI5947DU-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5947DU-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5947DU-T1-E3 Atributos do produto

    Número de peza : SI5947DU-T1-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
    Función FET : Logic Level Gate
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 480pF @ 10V
    Potencia: máx : 10.4W
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : PowerPAK® ChipFET™ Dual
    Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® ChipFet Dual