Número de peza :
FDB1D7N10CL7
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
268A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
163nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
11600pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263)
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)