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- Número de peza:
- IRF9383MTR1PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF9383MTR1PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF9383MTR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22A (Ta), 160A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7305pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MX
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MX
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