Infineon Technologies - IRF9383MTR1PBF

KEY Part #: K6404258

[8727unidades de stock]


    Número de peza:
    IRF9383MTR1PBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - IGBTs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF9383MTR1PBF Atributos do produto

    Número de peza : IRF9383MTR1PBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 22A (Ta), 160A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 22A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 150µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7305pF @ 15V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2.1W (Ta), 113W (Tc)
    Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : DIRECTFET™ MX
    Paquete / Estuche : DirectFET™ Isometric MX

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