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- Número de peza:
- SIHF8N50L-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHF8N50L-E3 electronic components. SIHF8N50L-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF8N50L-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHF8N50L-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHF8N50L-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
873pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220 Full Pack
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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