SISF00DN-T1-GE3 Prezos (USD) [134082unidades de stock]
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- Número de peza:
- SISF00DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SISF00DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SISF00DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 15V
Potencia: máx :
69.4W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8SCD
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8SCD
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