Número de peza :
SSM6K781G,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
600pF @ 6V
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-WCSPC (1.5x1.0)
Paquete / Estuche :
6-UFBGA, WLCSP