Infineon Technologies - IPC302N15N3X1SA1

KEY Part #: K6417447

IPC302N15N3X1SA1 Prezos (USD) [31545unidades de stock]

  • 1 pcs$2.52521

Número de peza:
IPC302N15N3X1SA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC302N15N3X1SA1 Atributos do produto

Número de peza : IPC302N15N3X1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1A (Tj)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Vgs (máximo) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : -
Temperatura de operación : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : Sawn on foil
Paquete / Estuche : Die

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