DMN95H2D2HCTI Prezos (USD) [42839unidades de stock]
- 1 pcs$0.91271
- Número de peza:
- DMN95H2D2HCTI
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN95H2D2HCTI Atributos do produto
Número de peza :
DMN95H2D2HCTI
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
950V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1487pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ITO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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