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- Número de peza:
- IRF6215L
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 150V 13A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6215L electronic components. IRF6215L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6215L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6215L Atributos do produto
Número de peza :
IRF6215L
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
66nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
860pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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