Microsemi Corporation - APTM100DAM90G

KEY Part #: K6396612

APTM100DAM90G Prezos (USD) [758unidades de stock]

  • 1 pcs$61.59839
  • 100 pcs$61.29193

Número de peza:
APTM100DAM90G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DAM90G Atributos do produto

Número de peza : APTM100DAM90G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 78A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 744nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 20700pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1250W (Tc)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SP6
Paquete / Estuche : SP6

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