SI7703EDN-T1-E3 Prezos (USD) [135773unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI7703EDN-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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SI7703EDN-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI7703EDN-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 800µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8
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