FDMS8622 Prezos (USD) [234037unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDMS8622
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
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FDMS8622 Atributos do produto
Número de peza :
FDMS8622
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
400pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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