FDB8880 Prezos (USD) [3014unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDB8880
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FDB8880 Atributos do produto
Número de peza :
FDB8880
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Ta), 54A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1240pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
55W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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