Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1370pF @ 6V
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-DFN-EP (2x2)
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad