IPD65R380E6BTMA1 Prezos (USD) [1969unidades de stock]
- 2,500 pcs$0.31146
- Número de peza:
- IPD65R380E6BTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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IPD65R380E6BTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD65R380E6BTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 320µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
710pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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- BSD314SPEH6327XTSA1