Número de peza :
SIS412DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
435pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8