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- Número de peza:
- SI9424BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-GE3 electronic components. SI9424BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9424BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI9424BDY-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI9424BDY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±9V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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