SIHB21N60EF-GE3 Prezos (USD) [19564unidades de stock]
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- 500 pcs$1.21029
- 1,000 pcs$0.96839
- Número de peza:
- SIHB21N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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SIHB21N60EF-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHB21N60EF-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
176 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
84nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2030pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
227W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB (D²PAK)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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