Número de peza :
SISS65DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Serie :
TrenchFET® Gen III
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25.9A (Ta), 94A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
138nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4930pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8S