Vishay Siliconix - SISS65DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396178

SISS65DN-T1-GE3 Prezos (USD) [240414unidades de stock]

  • 1 pcs$0.15385

Número de peza:
SISS65DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3 electronic components. SISS65DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS65DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS65DN-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SISS65DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Serie : TrenchFET® Gen III
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4930pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8S

Tamén pode estar interesado
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.