Toshiba Semiconductor and Storage - TK40P03M1(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6406713

[1224unidades de stock]


    Número de peza:
    TK40P03M1(T6RSS-Q)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK40P03M1(T6RSS-Q) Atributos do produto

    Número de peza : TK40P03M1(T6RSS-Q)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
    Serie : U-MOSVI-H
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 40A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1150pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : -
    Temperatura de operación : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : DP
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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