FQD17N08LTM Prezos (USD) [210642unidades de stock]
- 1 pcs$0.18302
- 2,500 pcs$0.18211
- Número de peza:
- FQD17N08LTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FQD17N08LTM Atributos do produto
Número de peza :
FQD17N08LTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.5nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
520pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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