Número de peza :
SQD40N10-25_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3380pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63