Microsemi Corporation - APTGTQ100DDA65T3G

KEY Part #: K6533024

APTGTQ100DDA65T3G Prezos (USD) [1877unidades de stock]

  • 1 pcs$23.06400

Número de peza:
APTGTQ100DDA65T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
POWER MODULE - IGBT.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ100DDA65T3G Atributos do produto

Número de peza : APTGTQ100DDA65T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : Dual Boost Chopper
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100A
Potencia: máx : 250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : SP3F