APTGT75H60T2G Prezos (USD) [2112unidades de stock]
- 1 pcs$20.95149
- 100 pcs$20.84725
- Número de peza:
- APTGT75H60T2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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APTGT75H60T2G Atributos do produto
Número de peza :
APTGT75H60T2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Full Bridge Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100A
Potencia: máx :
250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP2
Paquete de dispositivos de provedores :
SP2
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