Infineon Technologies - BSM100GD60DLCBOSA1

KEY Part #: K6534239

BSM100GD60DLCBOSA1 Prezos (USD) [543unidades de stock]

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Número de peza:
BSM100GD60DLCBOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GD60DLCBOSA1 Atributos do produto

Número de peza : BSM100GD60DLCBOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuración : Full Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 130A
Potencia: máx : 430W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 500µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module