F3L75R07W2E3B11BOMA1 Prezos (USD) [1918unidades de stock]
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- Número de peza:
- F3L75R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 600V 75A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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F3L75R07W2E3B11BOMA1 Atributos do produto
Número de peza :
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
95A
Potencia: máx :
250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
4.6nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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