BSM180C12P2E202 Prezos (USD) [164unidades de stock]
- 1 pcs$281.91240
- Número de peza:
- BSM180C12P2E202
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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BSM180C12P2E202 Atributos do produto
Número de peza :
BSM180C12P2E202
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
204A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
20000pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1360W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
Paquete / Estuche :
Module
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