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- Número de peza:
- SIS902DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 electronic components. SIS902DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS902DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIS902DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIS902DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
175pF @ 38V
Potencia: máx :
15.4W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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