SQJ260EP-T1_GE3 Prezos (USD) [144991unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQJ260EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ260EP-T1_GE3 electronic components. SQJ260EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ260EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ260EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQJ260EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Potencia: máx :
27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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