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- Número de peza:
- IRFH7911TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF electronic components. IRFH7911TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7911TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7911TR2PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH7911TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1060pF @ 15V
Potencia: máx :
2.4W, 3.4W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
18-PowerVQFN
Paquete de dispositivos de provedores :
PQFN (5x6)
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