Número de peza :
GA05JT01-46
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 100V 9A
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 5A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Disipación de potencia (máx.) :
20W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-46
Paquete / Estuche :
TO-46-3