Número de peza :
SSM6J511NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3350pF @ 6V
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-UDFNB (2x2)
Paquete / Estuche :
6-WDFN Exposed Pad