Número de peza :
TK040N65Z,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
57A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.85mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
105nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6250pF @ 300V
Disipación de potencia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3