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- Número de peza:
- IRF7521D1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7521D1 electronic components. IRF7521D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7521D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7521D1 Atributos do produto
Número de peza :
IRF7521D1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
Serie :
FETKY™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
260pF @ 15V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Micro8™
Paquete / Estuche :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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