Rohm Semiconductor - RP1E090RPTR

KEY Part #: K6401778

[2933unidades de stock]


    Número de peza:
    RP1E090RPTR
    Fabricante:
    Rohm Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 30V 9A MPT6.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Rohm Semiconductor RP1E090RPTR electronic components. RP1E090RPTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1E090RPTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RP1E090RPTR Atributos do produto

    Número de peza : RP1E090RPTR
    Fabricante : Rohm Semiconductor
    Descrición : MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.9 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3000pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : MPT6
    Paquete / Estuche : 6-SMD, Flat Leads

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