Infineon Technologies - BSS308PEH6327XTSA1

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BSS308PEH6327XTSA1 Prezos (USD) [711026unidades de stock]

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Número de peza:
BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS308PEH6327XTSA1 Atributos do produto

Número de peza : BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 11µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 500pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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