Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Single
  5. EPC2018

EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

EPC2018 Prezos (USD) [2195unidades de stock]

  • 500 pcs$3.64426
Número de peza:
EPC2018
Fabricante:
EPC
Descrición detallada:
GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2018 Atributos do produto

Número de peza : EPC2018
Fabricante : EPC
Descrición : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (máximo) : +6V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 540pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : -
Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : Die
Paquete / Estuche : Die
Tamén pode estar interesado
  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

Pezas quentes