Número de peza :
IRL60SL216
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 195A
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
195A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
255nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
15330pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262-3
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA