IXFQ60N60X Prezos (USD) [9664unidades de stock]
- 1 pcs$4.71409
- 50 pcs$4.69063
- Número de peza:
- IXFQ60N60X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 60A TO3P.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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IXFQ60N60X Atributos do produto
Número de peza :
IXFQ60N60X
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
143nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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