Toshiba Semiconductor and Storage - TPN3300ANH,LQ

KEY Part #: K6411648

TPN3300ANH,LQ Prezos (USD) [274457unidades de stock]

  • 1 pcs$0.14899
  • 3,000 pcs$0.14825

Número de peza:
TPN3300ANH,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Finalidade especial ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ electronic components. TPN3300ANH,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN3300ANH,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN3300ANH,LQ Atributos do produto

Número de peza : TPN3300ANH,LQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 880pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

Tamén pode estar interesado