Vishay Siliconix - SI3443CDV-T1-E3

KEY Part #: K6396220

SI3443CDV-T1-E3 Prezos (USD) [383787unidades de stock]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Número de peza:
SI3443CDV-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-E3 electronic components. SI3443CDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3443CDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3443CDV-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI3443CDV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.97A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12.4nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 610pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSOP
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6